%0 article
%A Оджаев В. Б., 
%A Петлицкий А. Н., 
%A Просолович В. С., 
%A Турцевич А. С., 
%A Шведов С. В., 
%A Филипеня В. А., 
%A Черный В. В., 
%A Явид В. Ю., 
%A Янковский Ю. Н., 
%A Дубровский В. А., 
%T Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора
%D 2014
%J Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук
%X Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в диэлектрике, а также быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2 приводят как к увеличению порогового напряжения, так и к снижению тока и напряжения насыщения, крутизны характеристики МОП- транзистора в линейной области и в области насыщения, проводимости структуры в линейной области. Возрастают также токи утечки затвора. Показано, что причиной ухудшения электрофизических параметров МОП-транзисторов является загрязнение материала технологическими примесями (Fe, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn и др.) во время производственного процесса. Источниками загрязнений могут служить как детали и узлы технологических установок, так и используемые материалы и реактивы.
%U https://www.academjournals.by/publication/13789