@article{Оджаев В. Б.2025-03-11,
author = { Оджаев В. Б.,  Петлицкий А. Н.,  Просолович В. С.,  Турцевич А. С.,  Шведов С. В.,  Филипеня В. А.,  Черный В. В.,  Явид В. Ю.,  Янковский Ю. Н.,  Дубровский В. А.},
title = {Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора},
year = {2014},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в диэлектрике, а также быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2 приводят как к увеличению порогового напряжения, так и к снижению тока и напряжения насыщения, крутизны характеристики МОП- транзистора в линейной области и в области насыщения, проводимости структуры в линейной области. Возрастают также токи утечки затвора. Показано, что причиной ухудшения электрофизических параметров МОП-транзисторов является загрязнение материала технологическими примесями (Fe, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn и др.) во время производственного процесса. Источниками загрязнений могут служить как детали и узлы технологических установок, так и используемые материалы и реактивы.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/13789},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/13755},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук},
}