<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Лагунович Н. Л.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Оптимизация конструкции охранных колец и удельного сопротивления эпитаксиальной пленки мощного &lt;i&gt;n&lt;/i&gt;-канального ДМОП-транзистора</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>регрессионный анализ</keyword>
    <keyword>пятимерный полином второго порядка</keyword>
    <keyword>мощный n-канальный ДМОП- транзистор</keyword>
    <keyword>охранное кольцо</keyword>
    <keyword>пробивное напряжение сток-исток</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2020</year>
    <pub-dates>
     <date>2020-04-06</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8358-2020-65-1-97-103</doi>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук</journal>
   <abstract>Рассмотрен мощный n-канальный ДМОП-транзистор с пробивным напряжением сток-исток Uси проб свыше 800 В и пороговым напряжением от 2 до 5 В, по периметру которого при изготовлении часто формируют одно или несколько охранных колец для повышения пробивных напряжений. Описана оптимальная конструкция охранных колец, а также установлено значение удельного сопротивления эпитаксиальной пленки ρv для получения требуемого значения Uси проб транзистора. Построена регрессионная модель, с помощью которой выбраны наиболее оптимальные варианты конструкции охранных колец исследуемого транзистора, и значение ρv, в которой изготавливается прибор. Установлено, что применение пятимерного полинома второго порядка в качестве регрессионной модели дает возможность определить оптимальные значения топологических зазоров в области охранных колец и удельного сопротивления ρv, позволяющие получать требуемые величины Uси проб транзистора. Экспериментальные значения пробивного напряжения сток-исток транзистора составили 876 и 875 В, а расчетные (при одинаковых параметрах построенной регрессионной модели) – соответственно 874 и 880 В, что составило погрешности 0,23 % и 0,57 %, то есть построенная модель дает хорошее согласование с экспериментальными данными. Установлено, что ρ v вносит более существенный вклад в значения пробивных напряжений транзистора, чем параметры конструкции охранных колец. Данный n-канальный ДМОП-транзистор, применяемый в различных электронных устройствах для энергетики, в мобильных телефонах, в составе высоковольтных интегральных микросхем AC/DC- и DC/DC-конвертеров и высоковольтных, высокостабильных LED-драйверов, был изготовлен в условиях производства ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» по разработанному автором технологическому маршруту.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/13392</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/13358</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
