PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Богатырев Ю. В., 
AU - Огородников Д. А., 
AU - Ластовский С. Б., 
AU - Кетько А. В., 
AU - Кречко М. М., 
AU - Шпаковский С. В., 
AU - Рубанов П. В., 
AU - Протопопов Г. А., 
AU - Чубунов П. А., 
TI - Влияние ионизирующего излучения на параметры p-канальных МОП-транзисторов
DP - 2023-01-02
TA - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук
4100 - 10.29235/1561-8358-2022-67-4-402-408
SO - https://www.academjournals.by/publication/13325
AB - Представлены результаты экспериментальных исследований влияния гамма-излучения Со60 на основные параметры кремниевых эпитаксиально-планарных p-канальных МОП-транзисторов при различных электрических режимах. Транзисторы изготовлены по радиационно-стойкой ДМОП-технологии с проектными нормами 1,4 мкм. В результате исследований транзисторов установлено: значения всех основных параметров после дозы облучения D = 106 рад (SiO2) в активных электрических режимах облучения остались в пределах критериев работоспособности; наиболее чувствительным к воздействию дозы облучения гамма-квантами является пороговое напряжение; в пассивном электрическом режиме облучения стойкость транзисторов по всем параметрам соответствует дозе 2,8·106 рад (SiO2). Показано, что разная степень радиационной деградации исследуемых параметров при облучении обусловлена их зависимостью либо от эффектов ионизации в слоях подзатворных и изолирующих диэлектриков, либо от структурных нарушений в объемном кремнии активных областей транзисторов. Высокая радиационная стойкость исследованных р-канальных МОП-транзисторов позволяет рекомендовать их для использования в аппаратуре авиационной и космической техники.