<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Волчёк В. С.</author>
     <author>Стемпицкий В. Р.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Эксплуатационные характеристики транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с теплоотводящими элементами на основе нитрида бора</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>гетероструктурный полевой транзистора</keyword>
    <keyword>нитрид бора</keyword>
    <keyword>нитрид галлия</keyword>
    <keyword>приборное моделирование</keyword>
    <keyword>рассеяние тепла</keyword>
    <keyword>саморазогрев</keyword>
    <keyword>силовая электроника</keyword>
    <keyword>теплоотводящий элемент</keyword>
    <keyword>транзистор с высокой подвижностью электронов</keyword>
    <keyword>управление тепловым режимом</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2023</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-09</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8358-2023-68-2-156-166</doi>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук</journal>
   <abstract>Предлагается метод уменьшения влияния эффекта саморазогрева в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия, который заключается в использовании слоя нитрида бора в качестве теплоотводящего элемента. Высокая теплопроводность и низкая электрическая проводимость нитрида бора позволяют располагать слой на его основе вблизи активной области и находиться в плотном контакте с электродами и теплопоглощающим элементом, формируя таким образом дополнительный канал для отведения избыточного тепла. Результаты численного моделирования транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с теплоотводящим элементом на основе нитрида бора указывают на улучшение электрических, частотных и переходных характеристик, увеличение напряжения пробоя. В случае сапфировой подложки максимальная температура в структуре прибора, работающего на уровне 3,3 Вт/мм, снижается на 82,4 °С, при этом напряжение пробоя, рассчитанное при напряжении затвор-исток 2 В, повышается на 357 В. Граничная частота и максимальная частота генерации, определенные при напряжении затвор-исток 6 В и напряжении сток-исток 30 В, увеличиваются в 1,38 и 1,49 раз, соответственно. Предлагаемое конструктивно-технологическое решение может использоваться и для других мощных приборов.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/13270</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/13236</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
