<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Серокурова А. И.</author>
     <author>Шарко С. А.</author>
     <author>Новицкий Н. Н.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>СВЧ-гетероструктуры в виде субмикронных пленок Y&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;Fe&lt;sub&gt;5&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt; на неориентированных подложках сегнетоэлектрической керамики: синтез, свойства и перспективы применения</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>феррит-гранатовые слои</keyword>
    <keyword>сегнетоэлектрическая подложка</keyword>
    <keyword>буферный слой</keyword>
    <keyword>поликристаллическая структура</keyword>
    <keyword>ионно-лучевое распыление</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2024</year>
    <pub-dates>
     <date>2024-04-03</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8358-2024-69-1-7</doi>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук</journal>
   <abstract>Получены монолитные структуры железо-иттриевого граната (YIG, Y3Fe5O12) толщиной около 2 мкм на сегнетоэлектрических керамических подложках на основе PbZr0,45Ti0,55O3 (PZT) и Ba0,4Sr0,6TiO3 (BST). Слой Y3Fe5O12 был нанесен методом ионно-лучевого распыления-осаждения на подложки толщиной 400 мкм путем распыления поликристаллической мишени состава Y3Fe5O12 ионами аргона. Гетероструктуры кристаллизовались отжигом на воздухе при температуре 820 °С в течение 5 мин. Результаты применения метода характеристического рентгеновского излучения показали, что элементный состав монолитной гетероструктуры соответствует заданному. В ходе рентгеновских исследований установлено, что процесс кристаллизации YIG завершен и полученная структура является однофазной. Результаты магнитных исследований и исследований методом ферромагнитного резонанса говорят о возможности использования полученных гетероструктур в логических схемах на  основе спиновых волн с малым рассеиванием, в элементах памяти, а также в электрически управляемых устройствах СВЧ-диапазона.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/13225</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/13191</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
