PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Мудрый А. В., 
AU - Мофиднахаи Ф. , 
AU - Живулько В. Д., 
AU - Зиновьев В. А., 
AU - Двуреченский А. В., 
AU - Кучинская П. А., 
AU - Смагина Ж. В., 
TI - СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОСЛОЕВ Ge/Si С ПРОСТРАНСТВЕННО-УПОРЯДОЧЕННЫМИ ГРУППАМИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
DP - 2016-05-17
TA - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SO - https://www.academjournals.by/publication/13187
AB - Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены наноструктуры Ge/Si с близкорасположенными и взаимодействующими квантовыми точками Ge. Установлено, что при выборе подходящей скорости и температуры осаждения Ge могут быть образованы квантовые кольца Ge/Si с близкорасположенными квантовыми точками Ge. Рентгенодифракционным методом были определены параметры элементарной ячейки наноструктур Ge/Si. В спектрах фотолюминесценции при 4,2 К были обнаружены интенсивные полосы, обусловленные излучательной рекомбинацией экситонов в смачивающих слоях Ge и в квантовых точках Ge.