17 Мудрый А. В. Мофиднахаи Ф. Живулько В. Д. Зиновьев В. А. Двуреченский А. В. Кучинская П. А. Смагина Ж. В. 2014 2016-05-17 Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены наноструктуры Ge/Si с близкорасположенными и взаимодействующими квантовыми точками Ge. Установлено, что при выборе подходящей скорости и температуры осаждения Ge могут быть образованы квантовые кольца Ge/Si с близкорасположенными квантовыми точками Ge. Рентгенодифракционным методом были определены параметры элементарной ячейки наноструктур Ge/Si. В спектрах фотолюминесценции при 4,2 К были обнаружены интенсивные полосы, обусловленные излучательной рекомбинацией экситонов в смачивающих слоях Ge и в квантовых точках Ge. https://www.academjournals.by/publication/13187 https://www.academjournals.by/files/13153