%0 article
%A Мудрый А. В., 
%A Мофиднахаи Ф. , 
%A Живулько В. Д., 
%A Зиновьев В. А., 
%A Двуреченский А. В., 
%A Кучинская П. А., 
%A Смагина Ж. В., 
%T СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОСЛОЕВ Ge/Si С ПРОСТРАНСТВЕННО-УПОРЯДОЧЕННЫМИ ГРУППАМИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
%D 2014
%J Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
%X Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены наноструктуры Ge/Si с близкорасположенными и взаимодействующими квантовыми точками Ge. Установлено, что при выборе подходящей скорости и температуры осаждения Ge могут быть образованы квантовые кольца Ge/Si с близкорасположенными квантовыми точками Ge. Рентгенодифракционным методом были определены параметры элементарной ячейки наноструктур Ge/Si. В спектрах фотолюминесценции при 4,2 К были обнаружены интенсивные полосы, обусловленные излучательной рекомбинацией экситонов в смачивающих слоях Ge и в квантовых точках Ge.
%U https://www.academjournals.by/publication/13187