@article{Мудрый А. В.2016-05-17,
author = { Мудрый А. В.,  Мофиднахаи Ф. ,  Живулько В. Д.,  Зиновьев В. А.,  Двуреченский А. В.,  Кучинская П. А.,  Смагина Ж. В.},
title = {СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОСЛОЕВ Ge/Si С ПРОСТРАНСТВЕННО-УПОРЯДОЧЕННЫМИ ГРУППАМИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК},
year = {2014},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены наноструктуры Ge/Si с близкорасположенными и взаимодействующими квантовыми точками Ge. Установлено, что при выборе подходящей скорости и температуры осаждения Ge могут быть образованы квантовые кольца Ge/Si с близкорасположенными квантовыми точками Ge. Рентгенодифракционным методом были определены параметры элементарной ячейки наноструктур Ge/Si. В спектрах фотолюминесценции при 4,2 К были обнаружены интенсивные полосы, обусловленные излучательной рекомбинацией экситонов в смачивающих слоях Ge и в квантовых точках Ge.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/13187},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/13153},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук},
}