@article{Поклонский Н. А.2016-05-18,
author = { Поклонский Н. А.,  Вырко С. А.,  Ковалев А. И},
title = {СТАЦИОНАРНАЯ ПРЫЖКОВАЯ МИГРАЦИЯ БИПОЛЯРОНОВ ПО «МЯГКИМ» ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В ЧАСТИЧНО РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ},
year = {2014},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Теоретически рассмотрена прыжковая миграция биполяронов (пар электронов) по неподвижным дефектам одного сорта (типа) в трех зарядовых состояниях (-1, 0, + 1) в частично разупорядоченных полупроводниках. Считается, что эти дефекты имеют отрицательную энергию корреляции и «стабилизируют» уровень Ферми в окрестности середины энергетической щели (запрещенной зоны) полупроводника. Записано выражение для дрейфовой и диффузионной компонент плотности постоянного прыжкового тока биполяронов, прыгающих с дефектов в зарядовых состояниях (-1) на дефекты в зарядовых состояниях (+1). Получено аналитическое выражение для длины экранирования внешнего стационарного электрического поля в полупроводнике. Показано, что концентрация экранирующих поле подвижных электрических зарядов равна концентрации биполяронов.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/13169},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/13135},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук},
}