МОДИФИКАЦИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ ФОСФОРА И БОРА
Бринкевич Д. И.,
Вабищевич С. А.,
Просолович В. С.,
Янковский Ю. Н.
2014
Методами масс-спектрометрии вторичных ионов, измерений поверхностного сопротивления и микротвердости проведены исследования свойств приповерхностной (рабочей) области пластин монокристаллического кремния, имплантированных ионами бора и фосфора с целью формирования сильнолегированных «карманов» комплиментарных КМОП-структур. Обнаружено приповерхностное упрочнение пластин после имплантации. Образование слоя с повышенной плотностью дефектов в кремнии снижает микротвердость приповерхностного слоя. Быстрый термический отжиг приводит к разупрочнению приповерхностной области монокристалла кремния на глубине до 1 мкм и увеличению трещиностойкости (росту K^ и у) при малых нагрузках. Полученные экспериментальные результаты объяснены с учетом генерации вакансий в процессе быстрого термического отжига.
Бринкевич Д. И., Вабищевич С. А., Просолович В. С., Янковский Ю. Н. МОДИФИКАЦИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ ФОСФОРА И БОРА. Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук. 2014;(4):98-102.
Цитирование
Список литературы
1. Технология СБИС: в 2 кн. М., 1986. Кн. 1. С. 335-353.
2. КолесниковЮ. В., МорозовЕ. М. Механика контактного разрушения. М., 1989.
3. Соколов В. И, Шелых А. И. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34, № 5. С. 34-39.
4. FalsterR. J., BinnsM. J., Korb H. W. US patent 6686620, primary class 438/473, publication 03.02.2004.
5. Voronkov V. V., FalsterR. // Materials science in semiconductor processing. 2003. Vol. 5. P. 387-390.
6. Головин Ю. И., Дмитриевский А. А., Сучкова Н. Ю. // Физика твердого тела. 2006. Т. 48, № 2. С. 262-265.
7. Головин Ю. И., Тюрин А. И. // Физика твердого тела. 2000. Т. 42, № 10. С. 1818-1820.
Похожие публикации