Проведены исследования электропроводности и диэлектрических характеристик монокристаллов TlGaS2, TlGa0,999Yb0,001S2 и TlGa0,99 Co0,01S2 в интервале температур 150–320 К на частотах измерительного поля 103 –106 Гц. Определены значения обобщенной энергии активации основных носителей заряда в этих кристаллах. Показано, что абсолютные значения изученных характеристик возрастают при увеличении температуры. На кривых температурной зависимости диэлектрической проницаемости исследуемых кристаллов обнаружены аномалии в виде широких максимумов, свидетельствующие о наличии структурных превращений в них в области температур ~ 170–250 К. Выявлена дисперсия диэлектрических свойств исследованных монокристаллов: с ростом частоты значения диэлектрической проницаемости уменьшаются, а удельной электропроводности – увеличиваются. Показано, что легирование кристаллов TlGaS2 кобальтом и иттербием приводит к уменьшению значений диэлектрической проницаемости и увеличению значений электропроводности.
Гуртовой В. Г., Шелег А. У., Мустафаева С. Н., Керимова Э. М. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGaS2, ДОПИРОВАННЫХ Со и Yb. Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук. 2015;(2):98-102.
1. Delgado G. E., Mora A. J., Pérez F. V. et. al. // Physica B: Condens. Matter. 2007. Vol. 391, N 2. P. 385–388.
2. Henkel W., Hochheimer H. D., Carlone C. et. al. // Phys. Rev. B. 1982. Vol. 26, N 6. P. 3211–3221.
3. Плющ О. Б., Шелег А. У. // Кристаллография. 1999. Т. 44, № 5. С. 873–877.
4. Боровой Н. А., Гололобов Ю. П., Исаенко Г. Л. и др. // Физика твердого тела. 2009. Т. 51, № 11. С. 2229–2232.
5. Шелег А. У., Плющ О. Б., Алиев В. А. // Физика твердого тела. 1994. Т. 36, № 1. С. 226–230.
6. McMorrow D. F., Cowley R. A., Hatton P. D. et. al. // J. Phys.: Condens. Matter. 1990. Vol. 2, N 16. P. 3699.
7. Крупников Е. С., Абуталыбов Г. И. // Физика твердого тела. 1992. Т. 34, № 9. С. 2964–2966.
8. Мальсагов А. У., Кульбужиев Б. С., Хамхоев Б. М. // Неорган. материалы. 1989. Т. 25, № 2. С. 216–220.
9. Açikgöz M. // Tur. J. Phys. 2008. Vol. 32. P. 145–150.
10. Мустафаева С. Н. // Неорган. материалы. 2009. Т. 45, № 6. С. 659–662.
11. Karabulut O., Yilmaz K., Boz B. // Cryst. Res. Technol. 2011. Vol. 46, N 1. P. 79–84.
12. Kerimova É. M., Mustafaeva S. N., Asadov Y. G. et. al. // Crystallogr. Rep. 2005. Vol. 50, N 1. P. S122–S123.
13. Kashida S., Yanadori Y., Otaki Y. et. al. // Phys. Status Solidi A. 2006. Vol. 203, N 11. P. 2666–2669.
