RT - article
SR - Electronic
T1 - РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТОНКИХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ НИТРИДА ИНДИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2016-05-18
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - Гурский А. Л., 
A1 - Якушев М. В., 
A1 - Мартин Р. В., 
A1 - Шафф В. Дж., 
YR - 2015
UL - https://www.academjournals.by/publication/13116
AB - Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015–1018 см–2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и оптической ширины запрещенной зоны Eg соединения InN. Увеличение оптической ширины запрещенной зоны Eg об- лученных тонких пленок InN обусловлено образованием радиационных дефектов донорного типа и проявления эффекта Бурштейна – Мосса