17 Мудрый А. В. Живулько В. Д. Гурский А. Л. Якушев М. В. Мартин Р. В. Шафф В. Дж. 2015 2016-05-18 Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015–1018 см–2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и оптической ширины запрещенной зоны Eg соединения InN. Увеличение оптической ширины запрещенной зоны Eg об- лученных тонких пленок InN обусловлено образованием радиационных дефектов донорного типа и проявления эффекта Бурштейна – Мосса https://www.academjournals.by/publication/13116 https://www.academjournals.by/files/13082