@article{Мудрый А. В.2016-05-18,
author = { Мудрый А. В.,  Живулько В. Д.,  Гурский А. Л.,  Якушев М. В.,  Мартин Р. В.,  Шафф В. Дж.},
title = {РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТОНКИХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ НИТРИДА ИНДИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ},
year = {2015},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015–1018 см–2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и оптической ширины запрещенной зоны Eg соединения InN. Увеличение оптической ширины запрещенной зоны Eg об- лученных тонких пленок InN обусловлено образованием радиационных дефектов донорного типа и проявления эффекта Бурштейна – Мосса},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/13116},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/13082},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук},
}