TY  - JOUR
T1  - ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-СТРУКТУР НА ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ
JF  - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
AU  - Коршунов Ф. П., 
AU  - Жданович Н. Е., 
AU  - Гуринович В. А., 
AU  - Лукша С. В., 
Y1  - 2016-05-20
UR  - https://www.academjournals.by/publication/13082
N2  - В работе проведены исследования влияния электронного облучения с энергией 4 МэВ на характеристики высоковольтных (до 4,5 кВ) диодных кремниевых p-n-структур, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Получены дозовые зависимости статических и динамических характеристик p-n-структур, определен коэффициент радиационных повреждений времени жизни неосновных носителей заряда Kτ . С помощью метода DLTS-спектроскопии определено образование в запрещенной зоне базового n-Si шести энергетических уровней радиационных дефектов, влияющих на характеристики облученных p-n-структур.