RT - article
SR - Electronic
T1 - ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-СТРУКТУР НА ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2016-05-20
A1 - Коршунов Ф. П., 
A1 - Жданович Н. Е., 
A1 - Гуринович В. А., 
A1 - Лукша С. В., 
YR - 2015
UL - https://www.academjournals.by/publication/13082
AB - В работе проведены исследования влияния электронного облучения с энергией 4 МэВ на характеристики высоковольтных (до 4,5 кВ) диодных кремниевых p-n-структур, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Получены дозовые зависимости статических и динамических характеристик p-n-структур, определен коэффициент радиационных повреждений времени жизни неосновных носителей заряда Kτ . С помощью метода DLTS-спектроскопии определено образование в запрещенной зоне базового n-Si шести энергетических уровней радиационных дефектов, влияющих на характеристики облученных p-n-структур.