17 Коршунов Ф. П. Жданович Н. Е. Гуринович В. А. Лукша С. В. электронное облучение высоковольтные диодные p-n-структуры статические и динамические характеристики энергетические уровни 2015 2016-05-20 Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук В работе проведены исследования влияния электронного облучения с энергией 4 МэВ на характеристики высоковольтных (до 4,5 кВ) диодных кремниевых p-n-структур, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Получены дозовые зависимости статических и динамических характеристик p-n-структур, определен коэффициент радиационных повреждений времени жизни неосновных носителей заряда Kτ . С помощью метода DLTS-спектроскопии определено образование в запрещенной зоне базового n-Si шести энергетических уровней радиационных дефектов, влияющих на характеристики облученных p-n-структур.  https://www.academjournals.by/publication/13082 https://www.academjournals.by/files/13048