@article{Коршунов Ф. П.2016-05-20,
author = { Коршунов Ф. П.,  Жданович Н. Е.,  Гуринович В. А.,  Лукша С. В.},
title = {ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-СТРУКТУР НА ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ},
year = {2015},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {В работе проведены исследования влияния электронного облучения с энергией 4 МэВ на характеристики высоковольтных (до 4,5 кВ) диодных кремниевых p-n-структур, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Получены дозовые зависимости статических и динамических характеристик p-n-структур, определен коэффициент радиационных повреждений времени жизни неосновных носителей заряда Kτ . С помощью метода DLTS-спектроскопии определено образование в запрещенной зоне базового n-Si шести энергетических уровней радиационных дефектов, влияющих на характеристики облученных p-n-структур. },
URL = {https://www.academjournals.by/publication/13082},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/13048},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук},
}