17 Лебядок Я. В. Кабанаў Д. М. GaInAsSb шырыня забароненай зоны спін-арбітальнае расшчапленне ажэ-рэкамбінацыя 2017 2017-10-09 Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук На падставе эксперыментальных спектраў выпрамянення для актыўнага пласта святлодыёдаў на аснове гетэраструктур Ga1–xInxAsySb1–y/AlGaAsSb былі атрыманы параметры Варшні тэмпературнай залежнасці шырыні забароненай зоны ў інтэрвале тэмператур 10–300 К, а таксама тэмпературная залежнасць велічыні энергіі спін-арбітальнага расшчаплення. Для тэмператур 10–80 К працэсам, што абмяжоўвае рост інтэнсіўнасці выпрамянення, з’яўляецца працэс ажэ-рэкамбінацыі, для якога энергія рэкамбінацыі электронна-дзіркавай пары перадаецца дзірцы з пераходам апошняй у спін-арбітальную зону. З павышэннем тэмпературы больш за 100 К адбываецца рост каэфіцыента ажэ-рэкамбінацыі для працэсу з удзелам двух электронаў і цяжкай дзіркі, які суправаджаецца ўзбуджэннем электрона з яго пераходам у высокаэнергетычны стан у зоне праводнасці. Сума гэтых працэсаў абумоўлівае тушэнне выпрамянення з павелічэннем тэмпературы больш за 150 К. https://www.academjournals.by/publication/12987 https://www.academjournals.by/files/12953