TY  - JOUR
T1  - ИНЖЕКЦИОННЫЙ ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА  В ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ
JF  - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
AU  - Макаренко Л. Ф., 
AU  - Ластовский С. Б., 
AU  - Якушевич А. С., 
AU  - Молл М. , 
AU  - Пинтилие И. , 
Y1  - 2017-10-09
UR  - https://www.academjournals.by/publication/12986
N2  - С использованием одних и тех же n+–p диодных структур проведено изучение влияния инжекции электронов в p-область диода на отжиг в ней простейших дефектов междоузельного типа, созданных облучением α-частицами. Обнаружено, что собственные междоузельные атомы Si обладают наиболее высокой чувствительностью к инжекции. При температуре жидкого азота и плотности прямого тока 10–20 мА/см2 постоянная времени их отжига составляет единицы секунд. Для активации атомов междоузельного бора при Т ≤ 140 К требуются более высокие плотности прямого тока (≥ 100 мА/см2). В отличие от двух предыдущих случаев, пропускание прямого тока через n+–p-переход не только ускоряет, но даже замедляет отжиг междоузельного углерода. Высказано предположение, что только реакции междоузельных атомов, которые характеризуются сильным электрон-фононным взаимодействием, могут быть ускорены в результате рекомбинационных процессов.