17 Макаренко Л. Ф. Ластовский С. Б. Якушевич А. С. Молл М. Пинтилие И. кремний радиационные дефекты междоузельные атомы рекомбинационно-ускоренные реакции 2017 2017-10-09 Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук С использованием одних и тех же n+–p диодных структур проведено изучение влияния инжекции электронов в p-область диода на отжиг в ней простейших дефектов междоузельного типа, созданных облучением α-частицами. Обнаружено, что собственные междоузельные атомы Si обладают наиболее высокой чувствительностью к инжекции. При температуре жидкого азота и плотности прямого тока 10–20 мА/см2 постоянная времени их отжига составляет единицы секунд. Для активации атомов междоузельного бора при Т ≤ 140 К требуются более высокие плотности прямого тока (≥ 100 мА/см2). В отличие от двух предыдущих случаев, пропускание прямого тока через n+–p-переход не только ускоряет, но даже замедляет отжиг междоузельного углерода. Высказано предположение, что только реакции междоузельных атомов, которые характеризуются сильным электрон-фононным взаимодействием, могут быть ускорены в результате рекомбинационных процессов.   https://www.academjournals.by/publication/12986 https://www.academjournals.by/files/12952