17 Романов И. А. Пархоменко И. Н. Власукова Л. А. Комаров Ф. Ф. Ковальчук Н. С. Мильчанин О. В. Моховиков М. А. Мудрый А. В. Живулько В. Д. Лу Хонг-Ланг нестехиометрический нитрид кремния фотолюминесценция спектральная эллипсометрия край поглощения быстрый термический отжиг 2018 2018-10-31 10.29235/1561-2430-2018-54-3-360-368 Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук Методом химического газофазного осаждения на кремниевых подложках p-типа изготовлены две трехслойные структуры SiO2 /SiNx /SiO2 с нестехиометрическими пленками нитрида кремния, обогащенными кремнием (x = 0,9) или азотом (x = 1,4), в качестве активных слоев. Активные слои SiNx нестехиометрического состава (x = 0,9 и x = 1,4) получены при различном соотношении реагирующих газов (SiH2 Cl2 /NH3 ) в процессе осаждения (8/1 и 1/8 соответственно). Методами спектральной эллипсометрии и фотолюминесценции показано, что показатель преломления, поглощение и люминесцентные свойства зависят от стехиометрического состава нитрида кремния. Структуры с активными слоями нитрида с избытком кремния и азота излучают в красной (1,9 эВ) и синей (2,6 эВ) областях спектра соответственно, причем интенсивность свечения сравнима для двух образцов. Быстрая термическая обработка приводит к уменьшению интенсивности и сужению спектра фотолюминесценции образца с активным слоем SiN1,4 , тогда как для образца с активным слоем SiN0,9 наблюдается возрастание интенсивности люминесценции с уширением спектра в коротковолновую область после отжига. Природа видимого свечения и влияние термообработки объясняются c учетом существования протяженной зоны хвостовых состояний.Структуры с чередующимися слоями оксида и нитрида кремния представляют практический интерес для создания эффективных источников света на базе кремниевой технологии. https://www.academjournals.by/publication/12933 https://www.academjournals.by/files/12899