PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Коршунов Ф. П., 
AU - Жданович Н. Е., 
AU - Гуринович В. А., 
TI - Влияние радиационно-термических дефектов на характеристики p-n-p-n-структур
DP - 2018-10-31
TA - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
4100 - 10.29235/1561-2430-2018-54-3-353-359
SO - https://www.academjournals.by/publication/12932
AB - Приводятся результаты исследования влияния радиационных дефектов (РД) и термостабильных (до 873 К) радиационно-термических дефектов (РТД), введенных электронным облучением с энергией 4 МэВ и термообработкой, на статические и динамические характеристики кремниевых p-n-p-n-структур. Получены зависимости тока включения и тока выключения от времени жизни неосновных носителей заряда (ННЗ) при высоком уровне инжекции в широкой n-базе структур с РД и РТД и аналогичные зависимости времени жизни ННЗ при высоком уровне инжекции от времени жизни при низком уровне инжекции. На измеренных DLTS-спектрах структур идентифицированы следующие уровни дефектов: Еc– 0,18 эВ принадлежит комплексу вакансия-кислород V– O (А-центр), Еv + 0,36 эВ – комплексу углерод внедрения – кислород внедрения Сi Oi и Еc– 0,25 эВ и Еc– 0,41 эВ – комплексу дивакансия V2 в двукратно и однократно отрицательно заряженных состояниях соответственно, а уровни Еc – 0,39 эВ и Еv + 0,30 эВ предположительно дефектам V3O и СiO2i . Рекомбинационным уровнем, определяющим скорость переключения структур с РД, является уровень Ec– 0,18 эВ, а у структур с РТД – уровень Ev + 0,39 эВ. Показано, что токи включения и выключения больше у структур с радиационно-термическими, чем с радиационными дефектами, что увеличивает стойкость тиристорных структур с РТД к различным помехам и эффекту dU/dt. Полученные температурные зависимости тока управления и напряжения управления p-n-p-n-структур в диапазоне температур 77–320 К показывают возможность их использования в схемах в сочетании с высокотемпературными сверхпроводниками.