17 Шелег А. У. Гременок В. Ф. Середа А. С. Гуртовой В. В. Чумак В. А. Цырельчук И. Н. четверные полупроводники параметры элементарной ячейки рентгенографические исследования твердые растворы тетрагональные искажения 2018 2018-07-01 10.29235/1561-2430-2018-54-2-229-233 Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук Методом однотемпературного синтеза из элементарных компонентов синтезированы четверные полупроводниковые соединения Cu2CdSnS4, Cu2CdSnSe4 и твердые растворы Cu2CdSn(SxSe1–x)4. Рентгенографическим методом показано, что полученные поликристаллические образцы являются однофазными. Из дифракционных спектров полнопрофильным анализом по методу Ритвельда с использованием программного пакета Fullprof опре- делены параметры элементарной ячейки синтезированных соединений и твердых растворов Cu2CdSn(SxSe1–x)4. Установлено, что с ростом концентрации серы параметры элементарной ячейки плавно уменьшаются по линейному закону в соответствии с правилом Вегарда, что свидетельствует об образовании в системе Cu2CdSn(SxSe1–x)4 непрерывного ряда твердых растворов в области 0 ≤ x ≤ 1. Рассчитан параметр тетрагональных искажений кристаллической решетки исследованных соединений h. Значения h близки к единице для всех изученных составов, что свидетельствует о малых искажениях кристаллической решетки полученных образцов. https://www.academjournals.by/publication/12917 https://www.academjournals.by/files/12883