%0 article
%A Шелег А. У., 
%A Гременок В. Ф., 
%A Середа А. С., 
%A Гуртовой В. В., 
%A Чумак В. А., 
%A Цырельчук И. Н., 
%T ПОЛУЧЕНИЕ И РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu2CdSn(SxSe1–x)4
%D 2018
%R 10.29235/1561-2430-2018-54-2-229-233
%J Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
%X Методом однотемпературного синтеза из элементарных компонентов синтезированы четверные полупроводниковые соединения Cu2CdSnS4, Cu2CdSnSe4 и твердые растворы Cu2CdSn(SxSe1–x)4. Рентгенографическим методом показано, что полученные поликристаллические образцы являются однофазными. Из дифракционных спектров полнопрофильным анализом по методу Ритвельда с использованием программного пакета Fullprof опре- делены параметры элементарной ячейки синтезированных соединений и твердых растворов Cu2CdSn(SxSe1–x)4. Установлено, что с ростом концентрации серы параметры элементарной ячейки плавно уменьшаются по линейному закону в соответствии с правилом Вегарда, что свидетельствует об образовании в системе Cu2CdSn(SxSe1–x)4 непрерывного ряда твердых растворов в области 0 ≤ x ≤ 1. Рассчитан параметр тетрагональных искажений кристаллической решетки исследованных соединений h. Значения h близки к единице для всех изученных составов, что свидетельствует о малых искажениях кристаллической решетки полученных образцов.
%U https://www.academjournals.by/publication/12917