RT - article
SR - Electronic
T1 - Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ-транзисторах
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2020-01-07
DO - 10.29235/1561-2430-2019-55-4-498-504
A1 - Огородников Д. А., 
A1 - Ластовский С. Б., 
A1 - Богатырев Ю. В., 
YR - 2019
UL - https://www.academjournals.by/publication/12891
AB - С помощью программного комплекса Silvaco проведен расчет накопления встроенного в окисел заряда у границы раздела кремний – скрытый окисел в n-канальных МОП/КНИ-транзисторах в зависимости от их геометрических параметров и электрических режимов при воздействии ионизирующего излучения. Показано, что наиболее «жестким» является режим, при котором во время облучения на сток и исток подается напряжение +5 В, а на подложку, затвор и запитку канала – 0 В. При этом величину накопленного заряда удается существенно снизить, прикладывая к подложке отрицательное смещение и уменьшая толщину слоя захороненного окисла. Полученные результаты компьютерного моделирования могут быть использованы испытателями электронных компонентов для предварительной оценки стойкости МОП/КНИ-приборов к накопленной дозе ионизирующего излучения.