17 Огородников Д. А. Ластовский С. Б. Богатырев Ю. В. ионизирующее излучение МОП/КНИ-транзистор радиационная стойкость моделирование встроенный заряд 2019 2020-01-07 10.29235/1561-2430-2019-55-4-498-504 Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук С помощью программного комплекса Silvaco проведен расчет накопления встроенного в окисел заряда у границы раздела кремний – скрытый окисел в n-канальных МОП/КНИ-транзисторах в зависимости от их геометрических параметров и электрических режимов при воздействии ионизирующего излучения. Показано, что наиболее «жестким» является режим, при котором во время облучения на сток и исток подается напряжение +5 В, а на подложку, затвор и запитку канала – 0 В. При этом величину накопленного заряда удается существенно снизить, прикладывая к подложке отрицательное смещение и уменьшая толщину слоя захороненного окисла. Полученные результаты компьютерного моделирования могут быть использованы испытателями электронных компонентов для предварительной оценки стойкости МОП/КНИ-приборов к накопленной дозе ионизирующего излучения. https://www.academjournals.by/publication/12891 https://www.academjournals.by/files/12857