%0 article
%A Огородников Д. А., 
%A Ластовский С. Б., 
%A Богатырев Ю. В., 
%T Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ-транзисторах
%D 2019
%R 10.29235/1561-2430-2019-55-4-498-504
%J Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
%X С помощью программного комплекса Silvaco проведен расчет накопления встроенного в окисел заряда у границы раздела кремний – скрытый окисел в n-канальных МОП/КНИ-транзисторах в зависимости от их геометрических параметров и электрических режимов при воздействии ионизирующего излучения. Показано, что наиболее «жестким» является режим, при котором во время облучения на сток и исток подается напряжение +5 В, а на подложку, затвор и запитку канала – 0 В. При этом величину накопленного заряда удается существенно снизить, прикладывая к подложке отрицательное смещение и уменьшая толщину слоя захороненного окисла. Полученные результаты компьютерного моделирования могут быть использованы испытателями электронных компонентов для предварительной оценки стойкости МОП/КНИ-приборов к накопленной дозе ионизирующего излучения.
%U https://www.academjournals.by/publication/12891