@article{Огородников Д. А.2020-01-07,
author = { Огородников Д. А.,  Ластовский С. Б.,  Богатырев Ю. В.},
title = {Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ-транзисторах},
year = {2019},
doi = {10.29235/1561-2430-2019-55-4-498-504},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {С помощью программного комплекса Silvaco проведен расчет накопления встроенного в окисел заряда у границы раздела кремний – скрытый окисел в n-канальных МОП/КНИ-транзисторах в зависимости от их геометрических параметров и электрических режимов при воздействии ионизирующего излучения. Показано, что наиболее «жестким» является режим, при котором во время облучения на сток и исток подается напряжение +5 В, а на подложку, затвор и запитку канала – 0 В. При этом величину накопленного заряда удается существенно снизить, прикладывая к подложке отрицательное смещение и уменьшая толщину слоя захороненного окисла. Полученные результаты компьютерного моделирования могут быть использованы испытателями электронных компонентов для предварительной оценки стойкости МОП/КНИ-приборов к накопленной дозе ионизирующего излучения.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/12891},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/12857},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук},
}