<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Пархоменко И. Н.</author>
     <author>Романов И. А.</author>
     <author>Моховиков М. А.</author>
     <author>Власукова Л. А.</author>
     <author>Ивлев Г. Д.</author>
     <author>Комаров Ф. Ф.</author>
     <author>Ковальчук Н. С.</author>
     <author>Мудрый А. В.</author>
     <author>Живулько В. Д.</author>
     <author>Шулейко Д. В.</author>
     <author>Кашаев Ф. В.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Влияние термического и импульсного лазерного отжига на фотолюминесценцию CVD-пленок нитрида кремния</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>обогащенный кремнием нитрид кремния</keyword>
    <keyword>фотолюминесценция</keyword>
    <keyword>печной отжиг</keyword>
    <keyword>лазерный отжиг</keyword>
    <keyword>поликремний</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2019</year>
    <pub-dates>
     <date>2019-06-28</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-2430-2019-55-2-225-231</doi>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук</journal>
   <abstract>Изучены светоизлучающие свойства обогащенных кремнием пленок нитрида кремния, осажденных на кремниевые подложки Si(100) методами плазмохимического осаждения (PECVD) и газофазного химического осаждения при низком давлении (LPCVD). Несмотря на сходный стехиометрический состав (отношение Si/N), пленки нитрида кремния SiN1,1, полученные различными способами, излучают в разных спектральных областях. Максимумы фотолюминесценции (ФЛ) лежат в красной (640 нм) и синей (470 нм) областях спектра для пленок, полученных методами PECVD и LPCVD соответственно. Печной и лазерный отжиг рубиновым лазером (694 нм, 70 нс) по-разному влияет на светоизлучающие свойства PECVD- и LPCVD-пленок нитрида кремния. Так, печной отжиг при температуре 600 °C приводит к резкому возрастанию интенсивности ФЛ для пленки, полученной методом PECVD, тогда как печной отжиг пленки, сформированной методом LPCVD, приводит только к тушению исходного сигнала ФЛ. Напротив, лазерный отжиг не подходит для пленки, полученной плазмохимическим методом. Для данной пленки наблюдается уменьшение интенсивности доминирующей полосы в красной области с увеличением плотности энергии в лазерном импульсе от 0,45 до 1,4 Дж/см2 . Кроме того, после облучения импульсами с энергией больше 1 Дж/см2 наблюдается абляция нитридной пленки. При этом увеличивается интенсивность свечения в синей области, природу которого мы связываем с формированием поликремния под нитридным слоем. С другой стороны, пленка, полученная методом LPCVD, демонстрирует высокую стойкость к лазерному воздействию. При этом облучение LPCVD-пленки двойным импульсом (1,4 + 2 Дж/см2) приводит к усилению сигнала люминесценции, чего не удавалось достичь с помощью печного отжига.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/12863</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/12829</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
