PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Поклонский Н. А., 
AU - Деревяго А. Н., 
AU - Вырко С. А., 
TI - Модель стационарной миграции свободных и прыгающих между акцепторами дырок в кристаллическом полупроводнике
DP - 2020-04-06
TA - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
4100 - 10.29235/1561-2430-2020-56-1-92-101
SO - https://www.academjournals.by/publication/12799
AB - В диффузионно-дрейфовом приближении построена феноменологическая теория сосуществующих миграции дырок v-зоны и миграции дырок посредством прыжков с водородоподобных акцепторов в зарядовом состоянии (0) на акцепторы в зарядовом состоянии (−1). Рассматривается кристаллический полупроводник p-типа при постоянной температуре, к которому приложено внешнее стационарное электрическое поле. В линейном приближении впервые получены аналитические выражения для длины экранирования статического электрического поля и длины диффузии дырок v-зоны и дырок, квазилокализованных на акцепторах. Представленные соотношения как частные случаи содержат известные выражения. Показано, что прыжковая миграция дырок по акцепторам приводит к уменьшению и длины экранирования, и длины диффузии.