%0 article
%A Поклонский Н. А., 
%A Деревяго А. Н., 
%A Вырко С. А., 
%T Модель стационарной миграции свободных и прыгающих между акцепторами дырок в кристаллическом полупроводнике
%D 2020
%R 10.29235/1561-2430-2020-56-1-92-101
%J Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
%X В диффузионно-дрейфовом приближении построена феноменологическая теория сосуществующих миграции дырок v-зоны и миграции дырок посредством прыжков с водородоподобных акцепторов в зарядовом состоянии (0) на акцепторы в зарядовом состоянии (−1). Рассматривается кристаллический полупроводник p-типа при постоянной температуре, к которому приложено внешнее стационарное электрическое поле. В линейном приближении впервые получены аналитические выражения для длины экранирования статического электрического поля и длины диффузии дырок v-зоны и дырок, квазилокализованных на акцепторах. Представленные соотношения как частные случаи содержат известные выражения. Показано, что прыжковая миграция дырок по акцепторам приводит к уменьшению и длины экранирования, и длины диффузии.
%U https://www.academjournals.by/publication/12799