@article{Поклонский Н. А.2020-04-06,
author = { Поклонский Н. А.,  Деревяго А. Н.,  Вырко С. А.},
title = {Модель стационарной миграции свободных и прыгающих между акцепторами дырок в кристаллическом полупроводнике},
year = {2020},
doi = {10.29235/1561-2430-2020-56-1-92-101},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {В диффузионно-дрейфовом приближении построена феноменологическая теория сосуществующих миграции дырок v-зоны и миграции дырок посредством прыжков с водородоподобных акцепторов в зарядовом состоянии (0) на акцепторы в зарядовом состоянии (−1). Рассматривается кристаллический полупроводник p-типа при постоянной температуре, к которому приложено внешнее стационарное электрическое поле. В линейном приближении впервые получены аналитические выражения для длины экранирования статического электрического поля и длины диффузии дырок v-зоны и дырок, квазилокализованных на акцепторах. Представленные соотношения как частные случаи содержат известные выражения. Показано, что прыжковая миграция дырок по акцепторам приводит к уменьшению и длины экранирования, и длины диффузии.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/12799},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/12765},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук},
}