RT - article
SR - Electronic
T1 - Влияние технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2021-07-15
DO - 10.29235/1561-2430-2021-57-2-232-241
A1 - Оджаев В. Б., 
A1 - Петлицкий А. Н., 
A1 - Пилипенко В. А., 
A1 - Просолович В. С., 
A1 - Филипеня В. А., 
A1 - Шестовский Д. В., 
A1 - Явид В. Ю., 
A1 - Янковский Ю. Н., 
YR - 2021
UL - https://www.academjournals.by/publication/12764
AB - Исследованы температурные зависимости статического коэффициента усиления по току (β) биполярных n-p-n-транзисторов, сформированных по аналогичным технологическим маршрутам (серии А и В), в интервале температур 20–125 °С. Содержание неконтролируемых технологических примесей в приборах серии А было ни- же предела обнаружения методом полного внешнего отражения рентгеновского излучения (по Fe < 4,0 · 109 ат/см2). В приборах серии В вся поверхность пластин была покрыта слоем Fe со средней концентрацией 3,4 · 1011 ат/см2, наблюдались также пятна Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn. Установлено, что в приборах серии В при среднем уровне тока коллектора (1,0 ∙ 10–6 < Ic < 1,0 ∙ 10–3 A) статический коэффициент усиления по току больше соответствующего значения в приборах серии А. Это обусловлено большей эффективностью эмиттера вследствие высокой концентрации основной легирующей примеси. Данное обстоятельство определяло и более сильную температурную зависимость β в приборах серии В вследствие значительного вклада в его величину температурного изменения ширины запрещен- ной зоны кремния. При Ic < 1,0 ∙ 10–6 A β для приборов серии В становится существенно меньше соответствующих значений для приборов серии А и практически перестает зависеть от температуры. В приборах серии В рекомбинационно-генерационный ток преобладает над полезным диффузионным током неосновных носителей заряда в базе вследствие наличия высокой концентрации неконтролируемых технологических примесей. Для приборов серии А при Ic < 10–6 A температурная зависимость β практически не отличается от аналогичной зависимости для среднего уровня инжекции.