<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Оджаев В. Б.</author>
     <author>Петлицкий А. Н.</author>
     <author>Пилипенко В. А.</author>
     <author>Просолович В. С.</author>
     <author>Филипеня В. А.</author>
     <author>Шестовский Д. В.</author>
     <author>Явид В. Ю.</author>
     <author>Янковский Ю. Н.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Влияние технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>биполярный n-p-n-транзистор</keyword>
    <keyword>статический коэффициент усиления по току</keyword>
    <keyword>рекомбинационно-генерационный ток</keyword>
    <keyword>температурное изменение ширины запрещенной зоны</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2021</year>
    <pub-dates>
     <date>2021-07-15</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-2430-2021-57-2-232-241</doi>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук</journal>
   <abstract>Исследованы температурные зависимости статического коэффициента усиления по току (β) биполярных n-p-n-транзисторов, сформированных по аналогичным технологическим маршрутам (серии А и В), в интервале температур 20–125 °С. Содержание неконтролируемых технологических примесей в приборах серии А было ни- же предела обнаружения методом полного внешнего отражения рентгеновского излучения (по Fe &amp;lt; 4,0 · 109 ат/см2). В приборах серии В вся поверхность пластин была покрыта слоем Fe со средней концентрацией 3,4 · 1011 ат/см2, наблюдались также пятна Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn. Установлено, что в приборах серии В при среднем уровне тока коллектора (1,0 ∙ 10–6 &amp;lt; Ic &amp;lt; 1,0 ∙ 10–3 A) статический коэффициент усиления по току больше соответствующего значения в приборах серии А. Это обусловлено большей эффективностью эмиттера вследствие высокой концентрации основной легирующей примеси. Данное обстоятельство определяло и более сильную температурную зависимость β в приборах серии В вследствие значительного вклада в его величину температурного изменения ширины запрещен- ной зоны кремния. При Ic &amp;lt; 1,0 ∙ 10–6 A β для приборов серии В становится существенно меньше соответствующих значений для приборов серии А и практически перестает зависеть от температуры. В приборах серии В рекомбинационно-генерационный ток преобладает над полезным диффузионным током неосновных носителей заряда в базе вследствие наличия высокой концентрации неконтролируемых технологических примесей. Для приборов серии А при Ic &amp;lt; 10–6 A температурная зависимость β практически не отличается от аналогичной зависимости для среднего уровня инжекции.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/12764</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/12730</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
