RT - article
SR - Electronic
T1 - Время туннелирования электромагнитного излучения сквозь слой идеальной плазмы
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2022-07-05
DO - 10.29235/1561-2430-2022-58-2-231-236
A1 - Гапоненко С. В., 
A1 - Новицкий Д. В., 
YR - 2022
UL - https://www.academjournals.by/publication/12722
AB - Получено соотношение для фазового времени туннелирования электромагнитного излучения для слоя идеальной плазмы в диэлектрике для частот ω ниже плазменной частоты ωp в пределе низкой прозрачности слоя. Установлено, что в рамках рассматриваемой модели время туннелирования не зависит от толщины плазменного слоя и задается только значениями частот ω и ωp. С понижением частоты излучения время туннелирования стремится к пределу, определяемому обратной плазменной частотой, что позволяет в этом случае интерпретировать процесс туннелирования как своеобразный всплеск плазменного слоя как целого, в результате которого и формируется прошедшее излучение. Поскольку коэффициент пропускания плазменного слоя весьма низок, полученный результат не позволяет говорить о сверхсветовом переносе энергии.