RT - article SR - Electronic T1 - Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11 JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук SP - 2023-04-03 DO - 10.29235/1561-2430-2023-59-1-81-86 A1 - Боднарь И. В., A1 - Фещенко А. А., A1 - Хорошко В. В., A1 - Павловский В. Н., A1 - Свитенков И. Е., A1 - Яблонский Г. П., YR - 2023 UL - https://www.academjournals.by/publication/12678 AB - Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn7S11. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.