RT - article
SR - Electronic
T1 - Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2023-04-03
DO - 10.29235/1561-2430-2023-59-1-81-86
A1 - Боднарь И. В.,
A1 - Фещенко А. А.,
A1 - Хорошко В. В.,
A1 - Павловский В. Н.,
A1 - Свитенков И. Е.,
A1 - Яблонский Г. П.,
YR - 2023
UL - https://www.academjournals.by/publication/12678
AB - Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn7S11. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.