PT - JOURNAL ARTICLE AU - Боднарь И. В., AU - Фещенко А. А., AU - Хорошко В. В., AU - Павловский В. Н., AU - Свитенков И. Е., AU - Яблонский Г. П., TI - Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11 DP - 2023-04-03 TA - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук 4100 - 10.29235/1561-2430-2023-59-1-81-86 SO - https://www.academjournals.by/publication/12678 AB - Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn7S11. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.