%0 article %A Боднарь И. В., %A Фещенко А. А., %A Хорошко В. В., %A Павловский В. Н., %A Свитенков И. Е., %A Яблонский Г. П., %T Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11 %D 2023 %R 10.29235/1561-2430-2023-59-1-81-86 %J Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук %X Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn7S11. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой. %U https://www.academjournals.by/publication/12678