%0 article
%A Боднарь И. В.,
%A Фещенко А. А.,
%A Хорошко В. В.,
%A Павловский В. Н.,
%A Свитенков И. Е.,
%A Яблонский Г. П.,
%T Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11
%D 2023
%R 10.29235/1561-2430-2023-59-1-81-86
%J Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
%X Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn7S11. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.
%U https://www.academjournals.by/publication/12678