%0 article
%A Огородников Д. А., 
%A Ластовский С. Б., 
%A Богатырев Ю. В., 
%A Лемешевская А. М., 
%A Цымбал В. С., 
%A Шпаковский С. В., 
%T Влияние гамма-облучения на обратные вольт-амперные характеристики кремниевых фотоумножителей
%D 2024
%R 10.29235/1561-2430-2024-60-3-252-262
%J Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
%X Исследовано влияние гамма-квантов Со60 на обратную вольт-амперную характеристику (ВАХ) кремниевых фотоэлектронных умножителей (SiФЭУ) с 1004 ячейками, представляющими собой оптически изолированные друг от друга n+ –p–p+ -структуры. Оптическая изоляция ячеек осуществлялась канавками, которые после пассивации стенок слоями SiО2 и Si3N4 заполнялись вольфрамом. Исследовались SiФЭУ двух вариантов конструктивного исполнения. В первом варианте (ВI) вывод металла канавки электрически соединялся через гасящий поликремниевый резистор с n+-областью ячейки, во втором (BII) – с p+-областью. Напряжение пробоя исследуемых SiФЭУ составляло Ubr = 34 ± 1,0 В. Образцы облучались в режиме лавинного пробоя (активный электрический режим) и при обратном смещении Ub = 0 В (пассивный режим). Установлено, что при значении поглощенной дозы D = 106 рад темновой ток возрастает в 6–7 раз у SiФЭУ (BI) и (BII), облучаемых в пассивном режиме, и в 15–16 раз у SiФЭУ (BII), облучаемых в активном режиме. Для SiФЭУ (ВI), облучаемых в режиме лавинного пробоя, значение темнового тока возрастает в 104 раз при D = 105 рад. Показано, что радиационная деградация темнового тока исследуемых SiФЭУ вызвана увеличением генерационной и главным образом поверхностной составляющих в результате накопления положительного заряда в изолирующем слое разделительных канавок.
%U https://www.academjournals.by/publication/12662