<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Замковец А. Д.</author>
     <author>Тихомиров С. А.</author>
     <author>Баран Л. В.</author>
     <author>Кузьмицкая А. С.</author>
     <author>Малютина-Бронская В. В.</author>
     <author>Фролов И. Ю.</author>
     <author>Дуонг Ф. В.</author>
     <author>Мынь Ф. Х.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Влияние отжига на оптические, морфологические и электрофизические свойства гранулированных наноструктур серебра</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>наночастицы серебра</keyword>
    <keyword>поверхностный плазмонный резонанс</keyword>
    <keyword>электродинамические взаимодействия</keyword>
    <keyword>вольт-амперная характеристика</keyword>
    <keyword>фотопроводимость</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2024</year>
    <pub-dates>
     <date>2024-10-06</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-2430-2024-60-3-242-251</doi>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук</journal>
   <abstract>Исследованы оптические, морфологические и электрофизические свойства изготовленных электронно-лучевым испарением и подвергнутых отжигу при температурах 145 и 195 °С наноструктур серебра. Все образцы характеризуются наличием в видимом диапазоне выраженной полосы поверхностного плазмонного резонанса поглощения и представляют собой плотноупакованные монослои наночастиц, средние размеры которых увеличиваются от ~10 нм в исходных образцах до ~35–40 и ~45–60 нм в отожженных в зависимости от температуры отжига. Обсуждается влияние на спектральные характеристики образцов различных факторов, в том числе размеров наночастиц и электродинамических взаимодействий между наночастицами. Показано, что все исследованные гранулированные наноструктуры, как исходные, так и подвергнутые отжигу, являются высокоомными. Установлено, что для исходного и отожженного при 145 °C образцов вблизи малых значений подаваемого напряжения прослеживается зависимость тока от длины волны облучения с изменением его величины до двух порядков для определенных длин волн.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/12661</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/12627</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
