<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Козыревич М. Е.</author>
     <author>Малащенок Н. В.</author>
     <author>Стрельцов Е. А.</author>
     <author>Мазаник А. В.</author>
     <author>Кулак А. И.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Влияние редокс-потенциала электролита на фотоэлектрохимические свойства оксоиодида висмута</title>
   </titles>
   <dates>
    <year>2015</year>
    <pub-dates>
     <date>2025-03-11</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия химических наук</journal>
   <abstract>Изучено фотоэлектрохимическое поведение полупроводникового оксоиодида висмута BiOI в растворах, содержащих [Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4- либо I3-/I- редокс-систему. Обнаружен эффект инверсии знака фототока при изменении электродного потенциала. Показано, что данный эффект определяется как термодинамическими условиями - изменением положения зоны проводимости BiOI и равновесного потенциала EOx/Red, так и кинетическим фактором - скоростью захвата фотогенерированных носителей тока адсорбированными частицами окислителя или восстановителя. Фотоэлектрохимический процесс является диффузионно-лимитированным и величина фототока в значительной степени является функцией поверхностных концентраций окисленной и восстановленной форм редокс-системы. Специфическая структура BiOI покрытия, состоящего из тонких пластинчатых кристаллитов (40-60 нм), обеспечивает хороший контакт их поверхности с реакционной средой и высокую эффективность фотоиндуцированных процессов.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/12529</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/12495</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
