<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Козыревич М. Е.</author>
     <author>Ивашенко Д. В.</author>
     <author>Бондаренко Е. А.</author>
     <author>Стрельцов Е. А.</author>
     <author>Кулак А. И.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Синтез и фотоэлектрохимические свойства тиоиодида висмут</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>тиоиодид висмута</keyword>
    <keyword>квантовая эффективность фототока</keyword>
    <keyword>фотоэлектрохимия полупроводников</keyword>
    <keyword>солнечные ячейки</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2018</year>
    <pub-dates>
     <date>2019-01-12</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8331-2018-54-4-413-418</doi>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия химических наук</journal>
   <abstract>Разработан метод химического осаждения монокристаллических игл тиоиодида висмута BiSI, характеризующихся высокой, достигающей 55 %, квантовой эффективностью генерации фототока в водных растворах электролитов. Установлено, что введение сульфид- и иодид-анионов в раствор приводит к существенному увеличению абсолютных значений фототока, причем наличие сульфид-ионов вызывает значительный (около 0,5 В) сдвиг энергетических зон BiSI в направлении более отрицательных потенциалов. Обнаруженный эффект представляет интерес для повышения фотонапряжения солнечных элементов на основе BiSI и может найти применение в гетерогенно-сенсибилизированных системах для повышения эффективности инжекции фотоэлектронов из узкозонного сенсибилизатора в матрицу из широкозонного полупроводника.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/12347</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/12313</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
