<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Гайдук Ю. С.</author>
     <author>Савицкий А. А.</author>
     <author>Ломоносов В. А.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДАТЧИКИ ДИОКСИДА АЗОТА  НА ОСНОВЕ КОМПОЗИЦИИ In2O3–Ga2O3–WO3</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>газовый сенсор</keyword>
    <keyword>золь-гель метод</keyword>
    <keyword>вольфрама оксид</keyword>
    <keyword>индия оксид</keyword>
    <keyword>оксиды азота</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2018</year>
    <pub-dates>
     <date>2018-06-21</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8331-2018-54-2-146-153</doi>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия химических наук</journal>
   <abstract>Изучены газочувствительные свойства оксидной композиции In2O3–Ga2O3–WO3, приготовленной золь-гель методом, с содержанием оксидов вольфрама 5 и галлия 4 мас.%. Установлено, что добавление оксида вольфрама приводит к существенному возрастанию чувствительности композиции In2O3–Ga2O3 (4 мас. %) к диоксиду азота. Методами рентгенофазового анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния изучены структурные особенности исследованной композиции. Установлено, что совместная термическая обработка золей In2O3, Ga2O3, WO3 приводит к формированию гетерогенного двухфазного материала, содержащего фазы твердого раствора (In, Ga)2O3 и моноклинного WO3. По данным РФА, рост размера зерен WO3 и In2O3 при термической обработке в смешанной композиции In2O3–WO3 замедляется по сравнению с индивидуальными оксидами. Предполагается, что существенное увеличение чувствительности к низким концентрациям диоксида азота композиции, содержащей добавку WO3, может быть связано с наличием многозарядных адсорбционных центров (W4+, W5+, W6+), а также с усложнением (по данным ЭПР) дефектной структуры двойной In2O3–WO3 и тройной In2O3–Ga2O3–WO3 композиции по сравнению с исходными оксидами. Изготовлены одноэлектродные полупроводниковые датчики диоксида азота с низким порогом детектирования (&amp;lt;&amp;lt; 1 ppm) и низким энергопотреблением. Сенсорный отклик газовых датчиков на основе композиции In2O3–Ga2O3 (4 мас. %) – WO3 (5 мас. %) к газовым смесям, содержащим 10 ppm NO2 в воздухе, имеет выраженный максимум при мощностях 80–90 мВт.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/12320</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/12286</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
