@article{Гайдук Ю. С.2018-06-21,
author = { Гайдук Ю. С.,  Савицкий А. А.,  Ломоносов В. А.},
title = {ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДАТЧИКИ ДИОКСИДА АЗОТА  НА ОСНОВЕ КОМПОЗИЦИИ In2O3–Ga2O3–WO3},
year = {2018},
doi = {10.29235/1561-8331-2018-54-2-146-153},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Изучены газочувствительные свойства оксидной композиции In2O3–Ga2O3–WO3, приготовленной золь-гель методом, с содержанием оксидов вольфрама 5 и галлия 4 мас.%. Установлено, что добавление оксида вольфрама приводит к существенному возрастанию чувствительности композиции In2O3–Ga2O3 (4 мас. %) к диоксиду азота. Методами рентгенофазового анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния изучены структурные особенности исследованной композиции. Установлено, что совместная термическая обработка золей In2O3, Ga2O3, WO3 приводит к формированию гетерогенного двухфазного материала, содержащего фазы твердого раствора (In, Ga)2O3 и моноклинного WO3. По данным РФА, рост размера зерен WO3 и In2O3 при термической обработке в смешанной композиции In2O3–WO3 замедляется по сравнению с индивидуальными оксидами. Предполагается, что существенное увеличение чувствительности к низким концентрациям диоксида азота композиции, содержащей добавку WO3, может быть связано с наличием многозарядных адсорбционных центров (W4+, W5+, W6+), а также с усложнением (по данным ЭПР) дефектной структуры двойной In2O3–WO3 и тройной In2O3–Ga2O3–WO3 композиции по сравнению с исходными оксидами. Изготовлены одноэлектродные полупроводниковые датчики диоксида азота с низким порогом детектирования (<< 1 ppm) и низким энергопотреблением. Сенсорный отклик газовых датчиков на основе композиции In2O3–Ga2O3 (4 мас. %) – WO3 (5 мас. %) к газовым смесям, содержащим 10 ppm NO2 в воздухе, имеет выраженный максимум при мощностях 80–90 мВт.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/12320},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/12286},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия химических наук},
}